エネルギー効率の改善へのキーはより通常、Chandrakasanが説明する破片で回路を電圧レベルで大いに低く働かせる方法を見つけることだった。 ほとんどの現在の破片が1ボルト頃作動する間、新しい設計はちょうど0.3ボルトで働く。

しかし操作電圧を減らすことは既存のマイクロチップが多くの年の間より高い標準電圧レベルで作動するために最大限に活用されたので鳴るかもしれない程に簡単ではない。 「記憶および論理回路非常に低い電力の供給電圧で作動するために設計し直されなければならないと」はChandrakasanは言う。

新しい設計への1つのキーは、彼は言ったり、コンバーター同じ破片のより低いレベル右に電圧を減らす別の部品の数を減らす高性能DCにDCを造ることだった。 設計し直された記憶そして論理は、DCにDCコンバーターと共に、完全なシステム破片の解決を実現するために統合されるすべてである。

チームが克服しなければならなかった最も大きい問題の1つは典型的な破片の製造業に起こる可変性だった。 より低い電圧レベルで、シリコンチップの変化そして欠陥は問題となるようになる。 「そのような変化に脆弱性を最小にするように破片を設計することは私達の作戦の大きい一部分であると」、Chandrakasanは言う。

これまでは新しい破片は概念実証である。 商用アプリケーションは5年に利用できるように「ことができると、多分すぐに、いくつかの刺激的な区域でなる」Chandrakasanは言う。 例えば、携帯用およびimplantable医療機器、携帯用通信機器およびネットワーキング装置はそのような破片に基づいている非常にことができこうして操作時間を増加した。 また戦場で分散できる小さい、はめ込み式センサーネットワークの生産にいろいろ軍の適用があるかもしれない。

ある適用では、implantable医療機器のようなすべての必要な力を提供する、目的は「包囲されたエネルギーによって動力を与えることができるほどボディの自身の熱または動き言を使用して電力要求事項低い」Chandrakasanを作ることである。 さらに、技術はボディ区域ネットワークか無線で可能にされたボディセンサーネットワークのために適することができる。

「一緒に、チタニウムおよびMITは電子デバイスの低い電力、および私達が部分この革命ので自慢している多くの前進を国際的レベルの大学研究」、言ったデニスBuss、テキサス・インスツルメントの主な科学者先生を開拓した。 「これらのデザイン・テクニック示すチタニウムの未来のローパワー集積回路プロダクトのための大きい潜在性および無線ターミナル、電池式の器械使用、センサーネットワークおよび医用電子工学を含む適用を」。は

研究は米国の米国国防総省高等研究計画局からの補助金によって一部には資金を供給された。

デイヴィッドChandler著書かれている、MITのニュースのオフィス